全國服務熱線:
15117989829
|
3F/PIC快速反應質譜儀 |
3F/IDP?離子脫附分析質譜儀 |
|
PIC是帶脈沖離子計數檢測器的3F質譜儀,具有高靈敏度, |
Hiden ?IDP是三級過濾質譜/能量分析儀,用于研究ESD、PSD |
|
快速測量的特點。 |
或UHV-TPD中釋放的低能量粒子。是電子、光子激發脫附 |
|
●?UHV TPD |
研究中,進行離子、中性粒子、自由基的質量、能量 |
|
分析的質譜。 |
|
|
●?表面科學,單晶格研究 |
|
|
●?釋出組分的快速質量、能量監測 |
|
|
●?分子束研究 |
|
|
●?光致解吸研究 |
●?選通輸入分析,進行瞬時/TOF?研究 |
|
特點: |
●?用表觀勢能譜,分析母體和自由基 |
|
●?質量數:1~2500amu |
●?ESD和PAS閾值,離子能量分布 |
|
●?脈沖離子計數器 |
●?正、負離子譜,鍵角信息 |
|
●?增強的抗污染能力 |
●?泄漏探測/?實際泄漏分析/脫附研究 |
|
●?測量速度:500點/秒 |
●?4透鏡離子光學系統/電子轟擊離子源 |
|
●?動態范圍:10-7 |
? |
|
●?信號選通1μs分辨率 |
? |
?
|
3F/EPIC質譜儀 |
IMP刻蝕終點檢測儀 |
|
EPIC是帶脈沖離子計數、四極桿偏壓(Pulse Ion Counting and |
IMP是自帶差式泵,簡潔的二次離子質譜儀,適于分析離 |
|
Pole Bias Control)控制的3F質譜儀,用于高精密科學分析、 |
子刻蝕過程中的二次離子和中子。是專業檢測刻蝕終點的 |
|
過程研究以及中性粒子、自由基、離子的UHV分析。 |
儀器,用于離子刻蝕控制以及優化工藝質量。 |
|
●?中性粒子、自由基,正、負離子 |
●?終點分析 |
|
●?電子附著研究 |
●?靶污染檢測 |
|
●?表面科學 |
●?質量控制/SPC |
|
●?分子束研究 |
●?殘余氣體分析 |
|
●?UHV TPD |
特點: |
|
特點: |
●?高靈敏度的?SIMS/MS,帶脈沖離子計數檢測器 |
|
●?質量數范圍可選至2500amu |
●?三級過四極質譜儀,標準配置為300amu |
|
●?離子能量分布掃描±100eV(1000eV可選) |
●?離子光學器件,帶能量分析器和完整的離子源 |
|
●?當分析能量(或質量)分布變化與時間的關系,或進行 |
●?真空規提供過壓保護 |
|
TOF研究時,信號選通分辨率為1μs |
●?穩定性好:超過24h,峰高變化小于±0.5% |
|
●?可升級至等離子體分析或SIMS分析儀 |
? |